低電壓FET/緩衝器加持 同步降壓電路雜訊顯著改善

作者: Josh Mandelcorn
2011 年 02 月 14 日
同步降壓轉換器將蕭特基(Schottky)箝位二極體(Clamp Diode)更換為下端金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)而達到高效率,此種MOSFET能夠在切換時達到極低降幅,然而,由於其中並未採用蕭特基二極體,因此,在二極體關閉而上端MOSFET啟動時,波形會產生極大的振鈴,這是因為下端MOSFET必須完全關閉,上端MOSFET才會啟動,以消除橫向傳導。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

矽晶片/封裝技術加持 新MOSFET效能/體積齊優化

2011 年 06 月 23 日

立錡突圍TI類比攻勢 台積電扮關鍵要角

2010 年 10 月 25 日

簡易驅動器助臂力 高功率LED照明成本效益大增

2011 年 10 月 17 日

專訪德州儀器台灣區總經理陳建村

2010 年 12 月 02 日

突破調光閃爍與壽命瓶頸 LED照明驅動器設計翻新

2012 年 06 月 18 日

成熟製程需求大 八吋晶圓廠欣欣向榮

2022 年 04 月 14 日
前一篇
瑞薩電子R8C系列MCU整合ZigBee/RF4CE
下一篇
先進製程成本漸增 EPON晶片商淘汰賽開打
最新文章

意法半導體STM32微控制器整合NPU加速器

2024 年 12 月 13 日

捷克全力扶植半導體 產業扶植政策連發

2024 年 12 月 13 日

愛德萬測試推出ACS Gemini開發者平台

2024 年 12 月 13 日

芝程推出生成式AI機器人結合體徵感測功能

2024 年 12 月 13 日

BV助大同獲台電60MW冬山儲能專案認證

2024 年 12 月 13 日